序號

儀器設備名稱

性能指標、技術參數及要求、配件備件附件要求

1

高溫DSC/TG同步熱分析儀

一、技術性能指標

1. 溫度范圍：室溫—1500℃

▲2. 爐體：耐腐蝕鉑爐體，垂直爐體結構，頂部裝樣系統；可以擴展雙爐體，且兩個爐體可同時安裝在主機上。

3. 氣體流向：吹掃氣流由下往上同逸出氣體自然流向一致，適合于做聯用分析，可以與采購人的FTIR和GC-MS聯用

▲4. 下置式超微量電子天平，天平稱量范圍：最大35g

▲5. 全量程天平分辨率：0.1μg

▲6. 熱焓精度：± 1%（標準金屬）

▲7. DSC 靈敏度：1μW

▲8. 溫度精度：0.1℃（標準金屬）

9. 加熱速率：0 —50K/min

10. 測試氣氛：靜態或動態；氧化、還原、惰性、真空

▲11. 真空度：獨立法蘭真空接口，真空度可達10-4 mbar

12. 恒溫水浴：溫度穩定性±0.03℃

13. 樣品支架：配置高精度TG-DSC 樣品支架，可進行比熱測試

14. 氣路：三路氣體流量計，軟件記錄氣體流量和控制氣體自動切換

15. 內核漢化的中英文操作軟件，用于儀器控制和數據分析，可自由切換軟件的不同語言操作界面

16. 配備遠程控制系統，可通過手機、平板電腦等遠程控制儀器操作、查看和處理測試數據等

17.配置數據處理器一臺。配置不低于臺式（i5-6500 4G 1T 1 DVDRW 千兆網卡 WIN7 64位）19.5英寸

二、主要配置

1. 同步熱分析儀主機    1臺

2. 儀器操作和數據分析軟件   1套

3. 鉑爐體      1套

4.▲ TG-DSC樣品支架, 可測試比熱， 1套

5. 恒溫水浴，帶制冷功能   1臺

6. 溫度及熱焓校正標樣，包含8種標準金屬   1套

7. 比熱測試軟件         1套

8. 比熱標樣     1套

9. 氧化鋁坩堝   20套

10.鉑坩堝    4套

11.數據處理器  1套（用來安裝DTA主機軟件）

12.▲另配一套差熱分析儀專用支架

2

阻抗分析儀

1▲頻率范圍  1 MHz 至 1 GHz（可升級到3 GHz）

1.1基本精度  1 GHz±0.65%

1.2阻抗測試范圍  120 mΩ 至 52 kΩ（10% 精度）

1.3▲阻抗測量參數      |Z|、||、θ、R、X、G、B、L、C、D、Q、|Γ|、Γx、Γy、θΓ、Vac、Iac、Vdc1、Idc1

1.4▲測量時間不大于   2.2 毫秒/點

1.5校準能力  開路/短路/50 Ω/低損耗電容器

1.6夾具補償  開路/短路、夾具電長度、端口延伸

1.7▲測試結果顯示      可顯示不少于1601個測試點、不少于4 個通道和 4 條跡線數據分析功能    等效電路分析、極限線測試

介電/磁性材料測量功能      |εr|、εr'、εr''、tanδ(ε)、|μr|、μr'、μr''、tanδ(μ)

1.8▲溫度特征測量功能      可在 -55 ºC 至 +150 ºC 的溫度范圍內做高精度的溫度特征分析

1.9 顯示屏    10.4 英寸彩色 LCD 觸摸屏外部接口      USB (前面 2 個, 后面 4 個)、LAN、USBTMC、GPIB、24 位 I/O

2材料測試夾具

2.1 ▲頻率范圍    1MHz至 1 GHz

2.2最大電壓：±42V

2.3▲工作溫度： -55 ºC 至 +150 ºC

2.4端子配置（約）：7mm

2.5補償：開路、短路和負載

2.6 ▲待測件直徑：大于15mm

2.7 ▲待測件厚度：介于0.3~3mm之間

2.8▲環境控制箱：溫度范圍：-20～+150℃

2.9內尺寸：不小于300×300×250（W×H×Dmm）

2.10▲材料測試軟件    測試參數       介電常數: εr’、εr”、tan δ

磁導率: μr’、μr”、tan δμ

S 參數: 對數幅度、線性幅度、相位、展開相位、群時延、史密斯圓圖、極坐標圖、實部、虛部和 SWR軌跡運算功能+、-、*、/、平均值和標準偏差軌跡數據顯示：以表格形式顯示動態數據軌跡

數據顯示：提供參考、功能和拖框比例縮放的游標便于檢測關鍵數據

2.10配套附件：射頻測試線纜、轉接頭、數據傳輸線

2.11▲為保證試驗的數據穩定性和一致性所有參數都只要一臺儀器完成所有的參數測試，不接受拼湊儀器測試相對的參數

2.12▲配置LCR表配合阻抗分析儀測試材料的相關性質

2.13▲環境控制箱：溫度范圍：-20～+150℃

         內尺寸約：300×300×250（mm、W×H×D）

         內容積：22.5L

2.3▲為方便用戶，需要廠家提供項目所在地省級廠家售后服務機構證明。

3

鐵電壓電分析儀

一：硬件技術指標

1：▲主機內置測試電壓：±9.99V

2：12位的任意波形輸出

3：每50us 100點的信號采集能力

4：每10us100點的內部數據交換處理能力

5：脈沖寬度: 50us~1s

6：▲通過Vision操作軟件實現的最終測量精度為0.1%

7：▲18位的模數轉換器

8：內部同步時鐘的響應速度25ns

9：同步實現極化電壓輸出和信號采集

二：測試功能及技術指標

2：Hysteresis Task:(電滯回線測試)

2.1▲測量頻率：0.03Hz~5kHz

2.2測量電壓波形：可任意編輯

2.3電荷測量解析度范圍: 10fC~276uC

2.4材料測量面積解析度范圍2.76cm2

2.5在使用外部高壓電源時測量電荷的最大解析度為27.6mC

三：PUND test: (記憶特性測試)

3.1五脈沖系列測試鐵電體記憶特性

3.2脈沖測試: 50us~1s*

3.3 0V上升到5V的最快時間: 40us

3.4  5個脈沖的電壓,寬度,預設直流偏壓和偏置時間可以任意設定

脈沖之間最大可以設定40000秒的延遲

四：Leakage Task: (漏電流測試)

4.1漏電流-偏置電壓測試

4.2漏電流-時間測試

4.3分辨率: 2pA

4.4最大漏電流測試:3.75mA

五Fatigue Task: (疲勞測試)

5.1▲最大疲勞測量頻率: 20kHz

5.2▲測量電壓波形：可任意編輯

5.3最小脈沖寬度: 50us

Pulse Task:(單脈沖測試)

執行一個用戶定義的測量脈沖或寫脈沖

脈沖的電壓,寬度,預設直流偏壓和偏置時間可以由用戶設定

多個單脈沖可以連起來執行用戶定義的殘留試驗和印痕試驗

C(V) Task (電容-偏壓測試)； I(V) Task (電流-偏壓測試)；

Retention Task(殘留測試)Imprint Task(印痕測試)

六：▲配置光學平臺，不小于1m*1m，確保系統能夠穩定的運行。

七：高壓模塊：高壓保護回路+高壓放大器+夾具

7.1▲高壓保護回路

高電壓下保證主機和測試頭免受破壞

7.2高壓電源放大器

7.2.1電壓輸出范圍：0~9.99kV直流或交流峰值

7.2.2電流輸出范圍：0~2mA直流或交流峰值

7.2.3直流電壓增益：1000V

7.2.4直流電壓增益精度：優于量程的0.1%

7.2.5 10% to 90%的變化速度：高于30V/microsecond

7.2.6大信號帶寬：直流到優于400Hz, 1%失真

7.2.7電壓顯示比：輸出高壓的1/1000

7.3塊材測試夾具：

7.3.1▲溫度范圍：-200℃到250℃

7.3.2 可耐10KV高壓

7.3.3內部可放置硅油

7.3.4良好的絕緣性

八、壓電模塊：軟件+光纖位移系統

8.1壓電測試功能

數據存儲，數據畫圖，數據顯示，測量程序設定

8.2軟件:▲用AFM在納米尺度測量試樣的壓電性能

位移傳感器連接軟件小信號測量功能

8.3▲光纖振動和位移測試系統

九、探頭模組

9.1.工作站1套（至少：CPU/Intel Xeon E3-1225 3.1GHz，16GB 內存，500GB 硬盤；SATA SuperMulti DVD 讀寫光驅，24” LCD 顯示器）、輸出設備1套。